MLC nand flash

MLC和SLC有什麼不同 (使用上) ?

不允許 "partial programming" ?

好像也就只有這個。google了半天，也沒有人說明partial programming是什麼？還有為甚麼MLC不行?

只有一篇有說.. MLC 上對同一page的某個sector作write動作時，會 "cause failure distribute" 。
是說 ?寫這個sector會影響到同page的其他sector ?

這一篇 :

最近改Nand driver，從SLC改為支持MLC。
但改完了發現一個問題：
1、全部先擦一遍

2、連續寫20個Page，每一個Page都是2K內容 + 64Byte的OOB
（此時若將這20個Page讀出來，發現全部都是正確的）

3、將前8個Page的OOB部分寫入一些信息
（此時是只寫OOB）

4、再將這20個Page讀出來，發現有些Page的內容都不對了，包括後面12個Page中也有些內容不對了。

問題就是這樣。
我知道MLC的Page+OOB需要一次寫入，所以每次寫Page時都是2K內容 + 64Byte的OOB，第3步執行完後，我想MLC不至於將原來的Page內容也就弄錯掉了吧。

想請問，單獨寫入MLC的OOB部分，會不會將這個Page的內容弄亂？會不會將其他Page的內容弄亂？還是都不會亂，是我程序的問題？

請達人幫忙看下！

難道就是這個原因 ?

那，SLC哪裡用到partial programming ?

大概是FTL吧，以前就懷疑 spare area部份有用到 flash 允許將1寫成0的特性，來mark "dirty" page.但是CE是沒有source code，所以僅只於猜測。
在這一篇，有一句

....... much like the way translation layers work for single-bit-per-cell flash memories.

所以？是猜對囉。

所以現有的CE block driver不適用MLC。如果要支援，連FTL都要重新寫過...

opensource 還是比較好.. YFFS2 已經支援這個，在Wiki中有提到..

Each page within a block must be written to in sequential order, and each page must be written only once. YAFFS2 was designed to accommodate these newer chips.

這不就是MLC的限制嗎?

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有關 nandflash, ecc, wear leveling , bad block management.
MICRO 的網站有一系列 application note 說明：

http://www.micron.com/products/nand_flash/clearnand.html
順帶推銷一下，他們的 ClearNand - with on-die ECC 的 Nand.

* 這個很不錯 (? 如果 price 沒增加的話), 因為 Nand ECC bit 增加的速度太外，Application Processor 跟本追不上，常常面臨, 開發完成，nand已經換代的問題。